• <center id="w60qu"><dd id="w60qu"></dd></center>
    <dd id="w60qu"><s id="w60qu"></s></dd>
    <center id="w60qu"><dd id="w60qu"></dd></center><dl id="w60qu"><small id="w60qu"></small></dl>
  • 首頁 > 技術文章 > 傳感器芯體介紹

    傳感器芯體介紹

    2024-08-01 [1320]
      壓阻式傳感器歷史
      1954年,史密斯(C.S.Smith)發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應,即當有外力作用于半導體材料時,其電阻將明顯發(fā)生變化。
      1960-1970年,硅擴散技術快速發(fā)展,技術人員在硅晶面選擇合適的晶向直接把應變電阻擴散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成較薄的硅彈性膜片,稱為硅杯。
      1970-1980年,硅杯擴散理論的基礎上應用了硅的各向異性的腐蝕技術,擴散硅傳感器其加工工藝以硅的各項異性腐蝕技術為主,發(fā)展成為可以自動控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術。
      隨著技術的發(fā)展,現(xiàn)在可以通過微機械加工工藝制作由計算機控制加工出結(jié)構(gòu)型的壓力傳感器,其線度可以控制在微米級范圍內(nèi)。利用這一技術可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜,使得壓力傳感器進入了微米階段。
      壓阻式傳感器原理
      圖是基本的惠斯通電橋,圖中電橋輸出Vo是Vo+和Vo-之間的差分電壓。使用傳感器時,隨著壓力的變化,根據(jù)壓阻效應,一個或多個電阻的阻值會發(fā)生改變。阻值的改變會引起輸出電壓的變化。

     激勵電源一般為 恒流源或者恒壓源

        上海朝輝擁有25年傳感器核心技術的研發(fā)與生產(chǎn),為中國、美國、中東、意大利等國家的傳感器提供差壓芯體、擴散硅芯體、微熔芯體等核心部件,并與客戶共同分享行業(yè)應用的經(jīng)驗數(shù)據(jù),在技術與價格上具備較高競爭力。

     

        1、單晶硅芯體:

      熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶硅。由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的均勻性,單晶硅在力學、光學和熱學性能上表現(xiàn)更佳。zhyq單晶硅壓力芯體具有精度高、穩(wěn)定性好等特點。

     

      2、擴散硅芯體:

      傳統(tǒng)的的硅半導體材質(zhì),在多晶硅上使用微機械加工技術雕刻而成。技術成熟,工藝穩(wěn)定,在精度上無法無單晶硅媲美,但是在成本、通用性、以及性價比上具有特殊的優(yōu)勢。

     

      3、玻璃微熔芯體:

      美國加州理工學院在1965年研發(fā)的新型技術,腔體背面由高溫玻璃粉燒結(jié)17-4PH低碳鋼,腔體由17-4PH不銹鋼翻出,適用于高壓過載,能有效抵抗瞬間壓力沖擊。含有少量雜質(zhì)的流體介質(zhì),無需充油和隔離膜片即可測量;不銹鋼結(jié)構(gòu),無“O”型密封圈,無溫度釋放隱患。它可以在高壓下測量600MPa(6000bar),最高精度為0.075%。

      但是玻璃微熔傳感器小量程的測量比較困難,一般測量范圍在500kPa以上。

      基于MEMS(微機電系統(tǒng))技術的壓力傳感器是由微/納惠斯通電橋制成的硅應變計。具有輸出靈敏度高、性能穩(wěn)定、批量可靠、重復性好的優(yōu)點。

    欧美日韩国产卡通一二区,国产农村妇女毛片精品,亚洲国产一级在线,日韩在线一区精品视频漫画
  • <center id="w60qu"><dd id="w60qu"></dd></center>
    <dd id="w60qu"><s id="w60qu"></s></dd>
    <center id="w60qu"><dd id="w60qu"></dd></center><dl id="w60qu"><small id="w60qu"></small></dl>